联发科3nm工艺旗舰已流片 功耗骤减32％

两大芯片制造商联发科和台积电联合声明，联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片开发进展十分顺利，目前已经完成流片。

将在今年下半年发布的天玑9300还是采用台积电4nm工艺，因此推测，这款3nm新旗舰应该是下一代的“天玑9400”。

根据官方数据，台积电3nm相较于5nm可将芯片逻辑密度增加约60％，在相同功耗下性能提升18％，或者在相同平均性能下系统功耗降低至少32％。

苹果A17也将采用台积电3nm工艺，而高通骁龙8 Gen4说法不一，有的称台积电、三星双代工，有的说全部包给三星。不过从目前曝光的信息来看，台积电和三星都是采用三星5nm工艺，而高通骁龙8gen4则是采用台积电7nm工艺。

（编辑：银川站长网）

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