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ASML找强援 加快推进新一代光刻机

发布时间:2023-07-03 10:02:26 所属栏目:产品 来源:
导读:比利时微电子研究中心 ( IMEC)和阿斯麦 (ASML)共同发布消息,双方将在开发先进高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻试验线的下一阶段加强合作。Fouquet表示,EUV光源输出功率一直稳步增加,ASML传统型号EUV光源输出

比利时微电子研究中心 ( IMEC)和阿斯麦 (ASML)共同发布消息,双方将在开发先进高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)光刻试验线的下一阶段加强合作。

Fouquet表示,EUV光源输出功率一直稳步增加,ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W,最新型号3600D增加到350W,现在研究层面已做到600W,800W指日可待。

DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技术形成图案的每个晶体管成本都不断变化,考量到新技术价格一定高于EUV每套3亿美元,High-NA EUV价格将非常可观,但仍取决于不同的客户使用要求和不同的开发成本。

在这之前,光刻机大厂ASML高管对外表示,半导体业只有通力合作,建立完全自主的产业链,即使并非不可能也会极其困难。但是现在看来,中国企业已经走在了前面。在光刻机领域,中国企业的实力已经不容小觑。

(编辑:银川站长网)

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