Intel PowerVia背面供电测验成功

Intel已经公布了全新制造工艺路线图，包括Intel 7、4、3、20A、18A，其中20A、18A将引领进入埃米时代，并同时采用PowerVia背面供电、RibbonFET全环绕栅极两大全新技术。

传统的正面供电技术，信号走线、供电走线都位于晶圆的正面，需要共享甚至争夺每一个金属层的资源，必须竭力扩大金属层引脚间距，进而增加成本和复杂度。

为了加速研发，Intel选择了PowerVia、RibbonFET两项技术分开研发的方式，率先实现推进的就是美国的PowerVia。

Intel通过测试证实，PowerVia技术确实能显著提高芯片的使用效率，大部分区域的标准单元利用率都超过了90％，同时晶体管体积大大缩小，单元密度大大增加，因此能显著降低成本。晶体管尺寸的减小意味着功耗的降低，这对于电子设备来说尤为重要。

（编辑：银川站长网）

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