国星光电公布第三代半导体系列新产品

发布时间：2021-11-14 20:29:32 所属栏目：产品来源：互联网

导读：4月25日消息，近期国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品，新产品可以分为3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。 ●SiC功率器件国星光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效

4月25日消息，近期国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品，新产品可以分为3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。

●SiC功率器件

国星光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。

●GaN-DFN器件

国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。

（编辑：银川站长网）

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