1nm以下关键技术 英特尔研创2D芯片工艺

随着半导体工艺不断复杂化，摩尔定律10多年来一直被认为放缓甚至失效，10nm以下制造难度加大，未来10年还要进入1nm以下节点，迫切需要更先进的技术。

其中的2D指的是单层原子组成的结晶体，TMD则是过渡金属二硫化物的简称，具体包括二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2）等材料，这些新材料可实现小于1nm的沟槽厚度，同时具有更好的带隙和迁移率，也就是高性能、低功耗优势。

制备2D TMD材料并不容易，为此英特尔日前宣布跟欧洲CEA-Leti达成合作协议，开发300mm晶圆上的2D TMD层转移技术，后者是这方面的专家，可提供专业的键合及层转移技术支持，进一步便于未来的英特尔无线技术的制造出一种最终的低成本硅基芯片。

这个过程可能需要很多年，英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律，也就是进一步提升晶体管密度，提升性能，降低成本功耗等。英特尔还表示，他们正在研究一种新的技术，可以让芯片更小，同时也能够更快地实现量产。

（编辑：银川站长网）

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