我国研制顺利中子探测器用高性能大面积碳化硼薄膜

最近，使用自制设计的专门用于大规模磁场涂装的磁控溅射设备的中国散裂中子源（BSSN）的检测小组取得了重要进展，成功制备出满足中子探测器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品，实现了中子探测器关键技术和器件的国产化。

高性能大面积碳化硼薄膜单片面积达到1500mm×500mm，薄膜厚度1微米，全尺寸范围内厚度均匀性优于1.32%，是目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜。

在核探测与核电子学国家重点实验室的支持下，CSNS探测器团队与同济大学朱京涛教授合作，开始研制一台磁控溅射大面积镀硼专用装置，镀膜厚度范围为0.01~5微米，研发的同时支持电解槽单、双面通用的镀膜，以及支持射频和电解槽直流通用的镀膜。

经过多年的技术攻关和工艺试制，团队攻克了溅射靶材制作、过渡层选择、基材表面处理等对镀膜质量影响大的关键技术，利用该装置制备了多种规格的碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子探测器，实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。这一成果填补了国内空白，也标志着我国在该领域达到世界先进水平。

（编辑：银川站长网）

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